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碲化锗(GeTe)靶材是一种重要的相变半导体材料,具有独特的结构可重构特性和优异的热电性能,在相变存储器、热电转换和红外光学等领域具有关键应用价值。
主要成分:GeTe;
可以提供靶材与粉体,纯度≥4N(99.99%);
可根据客户要求进行成分配比。